三星宣布将于2022年第二季度开始批量生产3nm芯片

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中国。com，4月29日：根据Tom‘s hardware，三星周四表示，预计将在本季度（即未来几周）开始使用其3gae（早期3nm gate all–round）制造工艺进行大规模生产。这一宣布不仅标志着该行业第一个3纳米制造技术开始大规模生产，而且也是第一个使用栅极全包场效应晶体管（gaafet）的节点。

三星大约三年前正式推出了3gae和3gap节点。三星在介绍其采用3gae技术生产的256MB砷化镓场效应晶体管SRAM芯片时表示，该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%。然而，对于三星来说，性能和功耗的实际组合将如何发挥作用，还有待观察。

“这是世界上首次大规模生产砷化镓纳米工艺，这将提高技术的领先地位。”三星在一份声明中写道。

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